Справочник MOSFET. HFS5N65SA

 

HFS5N65SA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HFS5N65SA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 33 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.2 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 14.2 nC
   Время нарастания (tr): 20 ns
   Выходная емкость (Cd): 53 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для HFS5N65SA

 

 

HFS5N65SA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:792K  semihow
 hfs5n65sa.pdf

HFS5N65SA HFS5N65SA

Dec. 2021BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 2.3 HFS5N65SAID = 4.2 A650V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 14.2 nC (Typ.) Extended Safe Op

 6.1. Size:202K  semihow
 hfs5n65s.pdf

HFS5N65SA HFS5N65SA

Oct 2009BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 2.3 HFS5N65SID = 4.2 A650V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge : 10 5 nC (Typ )

 7.1. Size:598K  semihow
 hfs5n65js.pdf

HFS5N65SA HFS5N65SA

Mar. 2023HFS5N65JS650V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Superior Avalanche Rugged TechnologyBVDSS 650 V Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic CapacitancesID 4.0 A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 2.26 100% Avalanche TestedQg, Typ 12.7 nC RoHS CompliantTO-220FS SymbolSDGAbsolute Maximum

 7.2. Size:315K  semihow
 hfs5n65u.pdf

HFS5N65SA HFS5N65SA

March 2013BVDSS = 650 VRDS(on) typ HFS5N65U ID = 4.5 A650V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top