Справочник MOSFET. HFS9N90A

 

HFS9N90A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HFS9N90A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для HFS9N90A

 

 

HFS9N90A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:612K  semihow
 hfs9n90a.pdf

HFS9N90A HFS9N90A

Feb 2023BVDSS = 900 VRDS(on) Typ = 1.4 HFS9N90AID = 9.0 A900V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 52 nC (Typ.) Extended Safe Operat

 9.1. Size:225K  vishay
 irfs9n60a sihfs9n60a.pdf

HFS9N90A HFS9N90A

IRFS9N60A, SiHFS9N60Awww.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low gate charge Qg results in simple drive VDS (V) 600requirementRDS(on) ()VGS = 10 V 0.75Available Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt Qg max. (nC) 49ruggednessQgs (nC) 13Available Fully characterized capacitance and avalanche Qgd (nC) 20voltage and curr

 9.2. Size:212K  vishay
 sihfs9n60a.pdf

HFS9N90A HFS9N90A

IRFS9N60A, SiHFS9N60AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 600DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.75 Low Gate Charge Qg results in Simple DriveRequirementQg (Max.) (nC) 49 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQgs (nC) 13RuggednessQgd (nC) 20 Fully Characterized Capacitance and Avalanch

 9.3. Size:160K  semihow
 hfs9n50.pdf

HFS9N90A HFS9N90A

Mar 2008BVDSS = 500 VRDS(on) typ HFS9N50ID = 9.0 A500V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top