HFU5N60F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HFU5N60F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 78 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12.5 nC
Время нарастания (tr): 19 ns
Выходная емкость (Cd): 70 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.3 Ohm
Тип корпуса: TO251
HFU5N60F Datasheet (PDF)
hfu5n60f hfd5n60f.pdf
Oct 2016HFU5N60F / HFD5N60F600V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Originative New DesignBVDSS 600 V Very Low Intrinsic CapacitancesID 5A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 1.8 100% Avalanche TestedQg, Typ 12.5 nC RoHS CompliantHFU5N60F HFD5N60FSymbolTO-251 TO-252DSSDGGAbsolute Maximum Ratings TC=25 unles
hfd5n60s hfu5n60s.pdf
June 2015BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFD5N60S / HFU5N60SID = 4.3 A600V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAK2FEATURES113 23 Originative New DesignHFD5N60S HFU5N60S Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC
hfd5n60u hfu5n60u.pdf
June 2015BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 2.0 HFD5N60U / HFU5N60U ID = 3.6 A600V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHFD5N60U HFU5N60U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC
hfu5n65sa hfd5n65sa.pdf
May. 2022HFU5N65SA / HFD5N65SA650V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Superior Avalanche Rugged TechnologyBVDSS 650 V Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic CapacitancesID 4.2 A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 2.3 100% Avalanche TestedQg, Typ 14.2 nC RoHS CompliantHFU5N65SA HFD5N65SASymbolTO
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
