HFU5N60F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HFU5N60F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для HFU5N60F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFU5N60F даташит

 ..1. Size:291K  semihow
 hfu5n60f hfd5n60f.pdf pdf_icon

HFU5N60F

Oct 2016 HFU5N60F / HFD5N60F 600V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Originative New Design BVDSS 600 V Very Low Intrinsic Capacitances ID 5A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 1.8 100% Avalanche Tested Qg, Typ 12.5 nC RoHS Compliant HFU5N60F HFD5N60F Symbol TO-251 TO-252 D S S D G G Absolute Maximum Ratings TC=25 unles

 7.1. Size:324K  semihow
 hfd5n60s hfu5n60s.pdf pdf_icon

HFU5N60F

June 2015 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFD5N60S / HFU5N60S ID = 4.3 A 600V N-Channel MOSFET D-PAK I-PAK 2 FEATURES 1 1 3 2 3 Originative New Design HFD5N60S HFU5N60S Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 10.5 nC

 7.2. Size:357K  semihow
 hfd5n60u hfu5n60u.pdf pdf_icon

HFU5N60F

June 2015 BVDSS = 600 V RDS(on) typ = 2.0 HFD5N60U / HFU5N60U ID = 3.6 A 600V N-Channel MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HFD5N60U HFU5N60U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 10.5 nC

 8.1. Size:1121K  semihow
 hfu5n65sa hfd5n65sa.pdf pdf_icon

HFU5N60F

May. 2022 HFU5N65SA / HFD5N65SA 650V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Superior Avalanche Rugged Technology BVDSS 650 V Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances ID 4.2 A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 2.3 100% Avalanche Tested Qg, Typ 14.2 nC RoHS Compliant HFU5N65SA HFD5N65SA Symbol TO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HFU1N60SA, HFU2N60F, HFU2N60S, HFU2N60U, HFU4N50, HFU5N40, HFU5N50S, HFU5N50U, IRLZ44N, HFU5N60S, HFU5N60U, HFU5N65SA, HFW50N06A, HFW840, HRA40N08K, HRA45N08K, HRD120N10K