HRLT1B0N10K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRLT1B0N10K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для HRLT1B0N10K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLT1B0N10K даташит

 ..1. Size:1045K  semihow
 hrlt1b0n10k.pdf pdf_icon

HRLT1B0N10K

Jan 2017 HRLT1B0N10K 100V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit ESD Protect BVDSS 100 V Reliable and Rugged ID 3.5 A High Density Cell Design for Ultra Low RDS(on) RDS(on), typ @10V 85 m 100% Avalanche Tested RDS(on), typ @4.5V 100 m RoHS Compliant SOT-223 Symbol S D G Absolute Maximum Ratings TJ=25 un

 9.1. Size:84K  lrc
 l8550hplt1g l8550hqlt1g l8550hrlt1g l8550hslt1g.pdf pdf_icon

HRLT1B0N10K

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors L8550HPLT1G Series PNP Silicon S-L8550HPLT1G FEATURE Series High current capacity in compact package. Epitaxial planar type. PNP complement L8550H 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1 and Control Change Requir

 9.2. Size:88K  lrc
 l8050hplt1g l8050hplt3g l8050hqlt1g l8050hqlt3g l8050hrlt1g l8050hrlt3g l8050hslt1g l8050hslt3g.pdf pdf_icon

HRLT1B0N10K

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors L8050HQLTIG Series NPN Silicon S-L8050HQLTIG FEATURE Series High current capacity in compact package. IC =1.5 A. 3 Epitaxial planar type. NPN complement L8050H Pb-Free Package is available. 1 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

 9.3. Size:84K  lrc
 l8050hrlt1g.pdf pdf_icon

HRLT1B0N10K

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors L8050HQLTIG Series NPN Silicon S-L8050HQLTIG FEATURE High current capacity in compact package. Series IC =1.5 A. Epitaxial planar type. 3 NPN complement L8050H Pb-Free Package is available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1 and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HRLP150N10K, HRLP250N10K, HRLP33N03K, HRLP370N10K, HRLP40N04K, HRLP55N03K, HRLP72N06, HRLP80N06K, 20N50, HRLU125N06K, HRLU150N10K, HRLU1B8N10K, HRLU370N10K, HRLU55N03K, HRLU80N06K, HRLW250N10K, HRP100N08K