Справочник MOSFET. OSG60R200FSZF

 

OSG60R200FSZF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG60R200FSZF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 68.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 98.6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R200FSZF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:844K  oriental semi
osg60r200fszf.pdfpdf_icon

OSG60R200FSZF

 5.1. Size:948K  oriental semi
osg60r200pszf.pdfpdf_icon

OSG60R200FSZF

 5.2. Size:813K  oriental semi
osg60r200jszf.pdfpdf_icon

OSG60R200FSZF

 7.1. Size:401K  oriental semi
osg60r2k2dsf.pdfpdf_icon

OSG60R200FSZF

OSG60R2K2DSF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS S series is optimized for its switching chara

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.