FDN304P datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: FDN304P 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
Тип корпуса: SSOT3
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для FDN304P
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FDN304P даташит
fdn304p.pdf
January 2001 FDN304P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses 2.4 A, 20 V. RDS(ON) = 52 m @ VGS = 4.5 V Fairchild s advanced low voltage PowerTrench process. RDS(ON) = 70 m @ VGS = 2.5 V It has been optimized for battery power management RDS(ON) = 100 m @ VGS = 1.8
fdn304p.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
fdn304p.pdf
SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET FDN304P (KDN304P) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 Features +0.1 0.4 -0.1 VDS (V) =-20V 3 ID =-2.4A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 52m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 70m (VGS =-2.5V) 1 2 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 RDS(ON) 100m (VGS =-1.8V) +0.1 1.9-0.1 1.Gate D 2.Source 3.Drain G S Absolute Maximum Ratings
fdn304p.pdf
R UMW UMW FDN304P SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS P-Channel 20-V(D-S) MOSFET FDN304P V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 52m @ -4.5V -20 V -2.4A 70m @ -2.5V 100m @ -1.8V FEATURE APPLICATION TrenchFET Power MOSFET Battery protection Supper high density cell design Load switch Battery management MARKING Equivalent Circuit SOT 23 1. GATE 2. SOURCE 3. DR
Другие IGBT... FDMS86500L, FDMS86520L, FDMS8848NZ, FDMS8888, STM4886E, FDMS9620S, STM4886, FDN302P, BS170, FDN304PZ, FDN306P, FDN308P, FDN327N, FDN342P, FDN352AP, FDN359BN, STM4884A
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BPMS04N003M | BPM0405CG | BPM0306CG | BP0405SCG | B50T070F | B50T040F | BLM3404 | BL4N90 | SI2309S | SI2301F | BMSN3139 | BMS2302 | BMS2301 | BMDFN2302 | BMDFN2301 | BM8205
Popular searches
6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet









