AP90N03Q - аналоги и даташиты транзистора

 

AP90N03Q - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP90N03Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для AP90N03Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP90N03Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:588K  1
 ap90n03q.pdf pdf_icon

AP90N03Q

 8.1. Size:2408K  cn apm
 ap90n06d.pdf pdf_icon

AP90N03Q

AP90N06D 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP90N06D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =90A DS DR

Другие MOSFET... AP4008QD , AP4085G , AP4822QD , AP4910GD , AP60P20Q , AP68N06G , AP80N04G , AP80N04Q , IRF540 , AP90P03G , AP90P03Q , APG077N01G , APG095N01G , ASDM30N55E-R , ASDM30N65E-R , ASDM30P11TD-R , ASDM30P30CTD-R .

History: IXFA16N50P | 2SK1061

 

 
Back to Top

 


 
.