HSBB6113. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSBB6113

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 73 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: PRPAK3X3

Аналог (замена) для HSBB6113

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBB6113 даташит

 ..1. Size:498K  1
hsbb6113.pdfpdf_icon

HSBB6113

HSBB6113 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBB6113 is the high cell density trenched P- V -60 V DS ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 90 m DS(ON),max converter applications. I -13 A D The HSBB6113 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full funct

 7.1. Size:472K  1
hsbb6115.pdfpdf_icon

HSBB6113

HSBB6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -60 V The HSBB6115 is the high cell density trenched P- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 20 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -26 A The HSBB6115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function re

 7.2. Size:472K  huashuo
hsbb6115.pdfpdf_icon

HSBB6113

HSBB6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -60 V The HSBB6115 is the high cell density trenched P- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 20 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -26 A The HSBB6115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function re

 9.1. Size:785K  1
hsbb6056.pdfpdf_icon

HSBB6113

HSBB6056 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary Advanced Trench MOS Technology VDS 60 V Low Gate Charge Low RDS(ON) RDS(ON),typ 7 m 100% EAS Guaranteed ID 30 A Green Device Available PRPAK3X3 Pin Configuration Application Motor Control. DC/DC Converter. Synchronous rectifier applications. Absolute Maximum R

Другие IGBT... HSBA3016, HSBA4115, HSBA4204, HSBA4909, HSBA6074, HSBA6115, HSBA6214, HSBB3072, RFP50N06, HSBB6254, HY1906C2, HYG007N03LS1C2, HYG009N04LS1C2, HYG011N04LS1C2, HYG013N03LS1C2, HYG015N04LS1C2, HYG017N04LS1C2