Справочник MOSFET. HSBB6113

 

HSBB6113 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSBB6113
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 11.8 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 73 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: PRPAK3X3
 

 Аналог (замена) для HSBB6113

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBB6113 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:498K  1
hsbb6113.pdfpdf_icon

HSBB6113

HSBB6113 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBB6113 is the high cell density trenched P-V -60 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 90 m DS(ON),maxconverter applications. I -13 A DThe HSBB6113 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full funct

 7.1. Size:472K  1
hsbb6115.pdfpdf_icon

HSBB6113

HSBB6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -60 V The HSBB6115 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 20 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -26 A The HSBB6115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function re

 7.2. Size:472K  huashuo
hsbb6115.pdfpdf_icon

HSBB6113

HSBB6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -60 V The HSBB6115 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 20 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -26 A The HSBB6115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function re

 9.1. Size:785K  1
hsbb6056.pdfpdf_icon

HSBB6113

HSBB6056 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary Advanced Trench MOS Technology VDS 60 V Low Gate Charge Low RDS(ON) RDS(ON),typ 7 m 100% EAS Guaranteed ID 30 A Green Device Available PRPAK3X3 Pin Configuration Application Motor Control. DC/DC Converter. Synchronous rectifier applications. Absolute Maximum R

Другие MOSFET... HSBA3016 , HSBA4115 , HSBA4204 , HSBA4909 , HSBA6074 , HSBA6115 , HSBA6214 , HSBB3072 , SKD502T , HSBB6254 , HY1906C2 , HYG007N03LS1C2 , HYG009N04LS1C2 , HYG011N04LS1C2 , HYG013N03LS1C2 , HYG015N04LS1C2 , HYG017N04LS1C2 .

 

 
Back to Top

 


 
.