ME7170 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ME7170
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 487 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
Тип корпуса: POWERDFN5X6
Аналог (замена) для ME7170
ME7170 Datasheet (PDF)
me7170.pdf

ME7170-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7170-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)2.6m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)3.9m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely lo
me7170-g.pdf

ME7170-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7170-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)2.6m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)3.9m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely lo
me7170-g.pdf

ME7170-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7170-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)2.6m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)3.9m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low R
Другие MOSFET... MCAC50N06Y-TP , MCAC50N10Y-TP , MCAC60N08Y-TP , MCAC75N02-TP , MCAC80N045Y-TP , MCG10P03-TP , MCG30N03-TP , ME7114S , IRF9540N , MEE7816S , MSJAC11N65Y-TP , MSK100N03DF , MSK20P80GNF , MSK30N03DF , MSK30P02DF , MSK3419DF , MSK50N03DF .
History: CJPF10N65 | MCG10P03-TP | FDD3672_F085
History: CJPF10N65 | MCG10P03-TP | FDD3672_F085



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827