NTMFS0D8N02P1ET1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTMFS0D8N02P1ET1G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 365 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2285 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00068 Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTMFS0D8N02P1ET1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMFS0D8N02P1ET1G даташит

 ..1. Size:187K  onsemi
 ntmfs0d8n02p1e.pdf pdf_icon

NTMFS0D8N02P1ET1G

MOSFET - Power, Single N-Channel, SO8-FL 25 V, 0.68 mW, 365 A NTMFS0D8N02P1E Features Small Footprint (5x6mm) for Compact Design www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Compliant 0.68 mW @ 10 V 25 V 365 A Applic

 0.1. Size:187K  1
 ntmfs0d8n02p1et1g.pdf pdf_icon

NTMFS0D8N02P1ET1G

MOSFET - Power, Single N-Channel, SO8-FL 25 V, 0.68 mW, 365 A NTMFS0D8N02P1E Features Small Footprint (5x6mm) for Compact Design www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Compliant 0.68 mW @ 10 V 25 V 365 A Applic

 7.1. Size:176K  1
 ntmfs0d9n03cgt1g.pdf pdf_icon

NTMFS0D8N02P1ET1G

MOSFET - Power, Single N-Channel, SO8-FL 30 V, 0.9 mW, 298 A NTMFS0D9N03CG Features www.onsemi.com Advanced Package (5x6mm) with Excellent Thermal Conduction Ultra Low RDS(on) to Improve System Efficiency These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Compliant 30 V 0.9 mW @ 10 V 298 A Applications Hot Swap Application D (

 7.2. Size:169K  onsemi
 ntmfs0d55n03cg.pdf pdf_icon

NTMFS0D8N02P1ET1G

MOSFET - Power, Single N-Channel, SO8-FL 30 V, 0.58 mW, 462 A NTMFS0D55N03CG Features Wide SOA to Improve Inrush Current Management www.onsemi.com Advanced Package (5x6mm) with Excellent Thermal Conduction Ultra Low RDS(on) to Improve System Efficiency V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 30 V 0.58 mW @ 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTMFD5C470NLT1G, NTMFD5C650NLT1G, NTMFD5C674NLT1G, NTMFD6H840NLT1G, NTMFD6H846NLT1G, NTMFS006N12MCT1G, NTMFS008N12MCT1G, NTMFS015N10MCLT1G, 18N50, NTMFS0D9N03CGT1G, NTMFS1D15N03CGT1G, NTMFS1D7N03CGT1G, NTMFS23D9N06HLT1G, NTMFS3D6N10MCLT1G, NTMFS4C05NT1G, NTMFS4D2N10MDT1G, NTMFS5C404NLTT1G