NTMFS5C406NLT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTMFS5C406NLT1G
Маркировка: 5C406L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 179 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 362 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 149 nC
trⓘ - Время нарастания: 47 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 4600 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0007 Ohm
Тип корпуса: DFN5
Аналог (замена) для NTMFS5C406NLT1G
NTMFS5C406NLT1G Datasheet (PDF)
ntmfs5c406nlt1g.pdf
NTMFS5C406NLMOSFET Power, Single,N-Channel40 V, 0.7 mW, 362 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant0.7 mW @ 10 V40 V 362 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless oth
ntmfs5c406nl.pdf
NTMFS5C406NLMOSFET Power, Single,N-Channel40 V, 0.7 mW, 362 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant0.7 mW @ 10 V40 V 362 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless oth
ntmfs5c406nt1g.pdf
NTMFS5C406NPower MOSFET40 V, 0.8 mW, 353 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)40 V 0.8 mW @ 10 V
ntmfs5c406n.pdf
NTMFS5C406NPower MOSFET40 V, 0.8 mW, 353 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)40 V 0.8 mW @ 10 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: UML2502
History: UML2502
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918