NTMFS6H801NT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTMFS6H801NT1G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 157 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 586 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm

Тип корпуса: DFN5

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTMFS6H801NT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMFS6H801NT1G даташит

 ..1. Size:98K  1
 ntmfs6h801nt1g.pdf pdf_icon

NTMFS6H801NT1G

NTMFS6H801N Power MOSFET 80 V, 2.8 mW, 157 A, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) 80 V 2.8 mW @ 10 V

 3.1. Size:98K  onsemi
 ntmfs6h801n.pdf pdf_icon

NTMFS6H801NT1G

NTMFS6H801N Power MOSFET 80 V, 2.8 mW, 157 A, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) 80 V 2.8 mW @ 10 V

 3.2. Size:174K  onsemi
 ntmfs6h801nl.pdf pdf_icon

NTMFS6H801NT1G

MOSFET - Power, Single N-Channel 80 V, 2.7 mW, 160 A NTMFS6H801NL Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 2.7 mW @ 10 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted)

 5.1. Size:194K  onsemi
 ntmfs6h800nl.pdf pdf_icon

NTMFS6H801NT1G

NTMFS6H800NL Power MOSFET Single N-Channel, 80 V, 1.9 mW, 224 A Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) Parameter Symbol V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTMFS5C670NLT3G, NTMFS5C670NT1G, NTMFS5C673NLT1G, NTMFS5C673NT1G, NTMFS5H425NLT1G, NTMFS6B05NT1G, NTMFS6B05NT3G, NTMFS6B14NT3G, IRFB4110, NTMFS6H818NLT1G, NTMFS6H836NLT1G, NTMFS6H848NLT1G, NTMFS6H852NLT1G, NTTFS4C05NTAG, NTTFS4C10NTAG, NTTFS4C25NTAG, NTTFS5C454NLTAG