Справочник MOSFET. SVF4N70F

 

SVF4N70F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF4N70F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 34.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56.43 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF4N70F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  silan
 svf4n70f svf4n70dtr.pdf pdf_icon

SVF4N70F

SVF4N70F/D 4A700V N 2SVF4N70F/D N MOS F-CellTM VDMOS 13

 7.1. Size:306K  silan
 svf4n70mj.pdf pdf_icon

SVF4N70F

SVF4N70MJ 4A700V N 2SVF4N70MJ N MOS F-CellTM VDMOS 13

 9.1. Size:801K  1
 svf4n60caf svf4n60cak svf4n60cad svf4n60cat svf4n60camn svf4n60camj.pdf pdf_icon

SVF4N70F

SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ_Datasheet 4A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switc

 9.2. Size:800K  silan
 svf4n60d svf4n60f svf4n60t svf4n60m.pdf pdf_icon

SVF4N70F

SVF4N60D/F/T/M 4A600V N SVF4N60D/F/T/M N MOS F-CellTM VDMOS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: HAF2012S | BUZ231 | MSK9N50F | 4920 | MDP5N50TH | STB200NF04L-1 | AFN3414

 

 
Back to Top

 


 
.