Справочник MOSFET. SVF4N70MJ

 

SVF4N70MJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF4N70MJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 58.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SVF4N70MJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF4N70MJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:306K  silan
 svf4n70mj.pdf pdf_icon

SVF4N70MJ

SVF4N70MJ 4A700V N 2SVF4N70MJ N MOS F-CellTM VDMOS 13

 7.1. Size:408K  silan
 svf4n70f svf4n70dtr.pdf pdf_icon

SVF4N70MJ

SVF4N70F/D 4A700V N 2SVF4N70F/D N MOS F-CellTM VDMOS 13

 9.1. Size:801K  1
 svf4n60caf svf4n60cak svf4n60cad svf4n60cat svf4n60camn svf4n60camj.pdf pdf_icon

SVF4N70MJ

SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ_Datasheet 4A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switc

 9.2. Size:800K  silan
 svf4n60d svf4n60f svf4n60t svf4n60m.pdf pdf_icon

SVF4N70MJ

SVF4N60D/F/T/M 4A600V N SVF4N60D/F/T/M N MOS F-CellTM VDMOS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVF4N65CAFJH , SVF4N65CF , SVF4N65CMJ , SVF4N65DTR , SVF4N65MJ , SVF4N65RDTR , SVF4N70DTR , SVF4N70F , HY1906P , SVF5N60DTR , SVF5N65DTR , SVF6N25CD , SVF6N60DTR , SVF6N60FQ , SVF6N70DTR , SVF6N70K , SVF6N70MJG .

History: 4N70KG-TND-R | STP77N6F6

 

 
Back to Top

 


 
.