SVF4N70MJ datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SVF4N70MJ 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 28.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 58.3 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: TO251
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SVF4N70MJ
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SVF4N70MJ даташит
svf4n60caf svf4n60cak svf4n60cad svf4n60cat svf4n60camn svf4n60camj.pdf
SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ_Datasheet 4A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switc
Другие IGBT... SVF4N65CAFJH, SVF4N65CF, SVF4N65CMJ, SVF4N65DTR, SVF4N65MJ, SVF4N65RDTR, SVF4N70DTR, SVF4N70F, AOD4184A, SVF5N60DTR, SVF5N65DTR, SVF6N25CD, SVF6N60DTR, SVF6N60FQ, SVF6N70DTR, SVF6N70K, SVF6N70MJG
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327