FDP18N50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FDP18N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 235 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.265 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FDP18N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP18N50 даташит

 ..1. Size:870K  fairchild semi
 fdp18n50 fdpf18n50 fdpf18n50t.pdf pdf_icon

FDP18N50

November 2013 FDP18N50 / FDPF18N50 / FDPF18N50T N-Channel UniFETTM MOSFET 500 V, 18 A, 265 m Features Description RDS(on) = 220 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 9 A UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. Low Gate Charge (Typ. 45 nC) This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to Low

 ..2. Size:466K  fairchild semi
 fdp18n50 fdpf18n50.pdf pdf_icon

FDP18N50

April 2007 TM UniFET FDP18N50 / FDPF18N50 500V N-Channel MOSFET Features Description 18A, 500V, RDS(on) = 0.265 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( typical 45 nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF) This advanced technology has been especially

 ..3. Size:1572K  onsemi
 fdp18n50 fdpf18n50 fdpf18n50t.pdf pdf_icon

FDP18N50

FDP18N50 / FDPF18N50 / FDPF18N50T N-Channel UniFETTM MOSFET 500 V, 18 A, 265 m Features RDS(on) = 220 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 9 A Description Low Gate Charge (Typ. 45 nC) UniFETTM MOSFET is ON Semiconductor s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. Low Crss (Typ. 25 pF) This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to

 ..4. Size:1033K  onsemi
 fdp18n50 fdpf18n50.pdf pdf_icon

FDP18N50

October 2006 TM UniFET FDP18N50 / FDPF18N50 500V N-Channel MOSFET Features Description 18A, 500V, RDS(on) = 0.265 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( typical 45 nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF) This advanced technology has been especially

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STM4470, FDP150N10AF102, STM4460, FDP15N40, STM4446, FDP16AN08A0, FDP18N20F, STM4439A, IRFB4227, FDP19N40, STM4437A, FDP20N50, FDP20N50F, FDP22N50N, FDP24N40, STM4435, FDP2532