FDP65N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FDP65N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FDP65N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP65N06 даташит

 ..1. Size:598K  fairchild semi
 fdp65n06.pdf pdf_icon

FDP65N06

June 2006 TM UniFET FDP65N06 60V N-Channel MOSFET Features Description 65A, 60V, RDS(on) = 0.016 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 132nC) transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 35pF) This advanced technology has been especially tailored to

 ..2. Size:1167K  onsemi
 fdp65n06.pdf pdf_icon

FDP65N06

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... FDP5500F085, FDP55N06, FDP5800, FDP5N50NZ, FDP5N60NZ, STM122N, FDP61N20, STM121N, NCEP15T14, FDP75N08A, FDP7N50, FDP7N60NZ, STM105N, FDP80N06, FDP8440, FDP8441, FDP8443F085