Справочник MOSFET. FDP65N06

 

FDP65N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDP65N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для FDP65N06

 

 

FDP65N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:598K  fairchild semi
 fdp65n06.pdf

FDP65N06 FDP65N06

June 2006 TMUniFETFDP65N0660V N-Channel MOSFETFeatures Description 65A, 60V, RDS(on) = 0.016 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 132nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planarstripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 35pF)This advanced technology has been especially tailored to

 ..2. Size:1167K  onsemi
 fdp65n06.pdf

FDP65N06 FDP65N06

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top