WM02N70ME - описание и поиск аналогов

 

WM02N70ME. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WM02N70ME

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для WM02N70ME

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02N70ME даташит

 ..1. Size:360K  way-on
 wm02n70me.pdf pdf_icon

WM02N70ME

WM02N70ME N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 7A DS D R

 8.1. Size:524K  way-on
 wm02n75m2.pdf pdf_icon

WM02N70ME

WM02N75M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I =7.5A DS D R

 9.1. Size:387K  way-on
 wm02n08l.pdf pdf_icon

WM02N70ME

WM02N08L N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS D R

 9.2. Size:439K  way-on
 wm02n08f.pdf pdf_icon

WM02N70ME

WM02N08F N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 20V, I = 0.75A DS D D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM02N08L , WM02N20F , WM02N20G , WM02N25M , WM02N28M , WM02N31M , WM02N45M , WM02N50M , 2N7002 , WM02N75M2 , WM02P06F , WM02P06G , WM02P06H , WM02P06L , WM02P160R , WM02P18F , WM02P20G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.