WM02P23M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WM02P23M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для WM02P23M
WM02P23M Datasheet (PDF)
wm02p23m.pdf

WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS DR
wm02p26m.pdf

WM02P26M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -20V, I = -2.6A DS DR
wm02p20g.pdf

WM02P20G P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -2A DS DR
wm02p40me.pdf

WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS DR
Другие MOSFET... WM02N75M2 , WM02P06F , WM02P06G , WM02P06H , WM02P06L , WM02P160R , WM02P18F , WM02P20G , SPP20N60C3 , WM02P26M , WM02P30ME , WM02P40M3 , WM02P40ME , WM02P41M , WM02P56M2 , WM02P56M3 , WM02P60M2 .
History: STB23NM50N | TPB65R280D | 2SK3302
History: STB23NM50N | TPB65R280D | 2SK3302



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c