Справочник MOSFET. WM02P23M

 

WM02P23M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM02P23M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для WM02P23M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02P23M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:474K  way-on
wm02p23m.pdfpdf_icon

WM02P23M

WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS DR

 8.1. Size:476K  way-on
wm02p26m.pdfpdf_icon

WM02P23M

WM02P26M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -20V, I = -2.6A DS DR

 8.2. Size:480K  way-on
wm02p20g.pdfpdf_icon

WM02P23M

WM02P20G P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -2A DS DR

 9.1. Size:831K  way-on
wm02p40me.pdfpdf_icon

WM02P23M

WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS DR

Другие MOSFET... WM02N75M2 , WM02P06F , WM02P06G , WM02P06H , WM02P06L , WM02P160R , WM02P18F , WM02P20G , IRF9540N , WM02P26M , WM02P30ME , WM02P40M3 , WM02P40ME , WM02P41M , WM02P56M2 , WM02P56M3 , WM02P60M2 .

History: 2SK857 | AP9926 | 2SK3492 | BSC100N10NSFG

 

 
Back to Top

 


 
.