WMB175N10LG4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMB175N10LG4
Маркировка: 175N10L4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22.7 nC
trⓘ - Время нарастания: 3.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
Тип корпуса: PDFN5060-8L
Аналог (замена) для WMB175N10LG4
WMB175N10LG4 Datasheet (PDF)
wmb175n10lg4.pdf
WMB175N10LG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDD DWMB175N10LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET Gtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state sssssGsresistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN50
wmb175n10hg4.pdf
WMB175N10HG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDD DWMB175N10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET Gtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state sssssGsresistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN50
wmb175dn10lg4.pdf
WMB175DN10LG4 100V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD2 D1D2 D1WMB175DN10LG4 uses Wayon's 4th generation power trench D1D2D1D2MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the S1G1G2on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S2 S2G1 G2S1This device is well suited for high efficiency fast switchi
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100