Справочник MOSFET. WMJ90N60C4

 

WMJ90N60C4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMJ90N60C4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 430 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 142 nC
   trⓘ - Время нарастания: 79 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для WMJ90N60C4

 

 

WMJ90N60C4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:542K  way-on
 wmj90n60c4.pdf

WMJ90N60C4 WMJ90N60C4

WM C4 MJ90N60C 600V 0.024 S0 Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reand low ga charge performanc WMOSTM C4 is ate ce. suitable fo applicat which require superior or tions h S D G power density and o

 6.1. Size:542K  way-on
 wmj90n60f2.pdf

WMJ90N60C4 WMJ90N60C4

WM F2 MJ90N60F 600V 0.025 S0 Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM F2 is Wa 2nd generation super ayons n junction MOSFET fam with fa body di F2 M mily ast iode. series pro all benefits of a fast switching ovide b f sSJ-MOSFE while of an extremely fa body ET ffering e ast diode. WM F2 makes especially resonant MOSTM e rS D G switching a s more

 7.1. Size:542K  way-on
 wmj90n65f2.pdf

WMJ90N60C4 WMJ90N60C4

WM F2 MJ90N65F 650V 0.025 S0 Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM F2 is Wa 2nd generation super ayons n junction MOSFET fam with fa body di F2 M mily ast iode. series pro all benefits of a fast switching ovide b f sSJ-MOSFE while of an extremely fa body ET ffering e ast diode. WM F2 makes especially resonant MOSTM e rS D G switching a s more

 7.2. Size:543K  way-on
 wmj90n65c4.pdf

WMJ90N60C4 WMJ90N60C4

WM C4 MJ90N65C 650V 0.024 S0 Super Junction Power MOSFETDescripptionWMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayons n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reand low ga charge performanc WMOSTM C4 is ate ce. suitable fo applicat which require superior or tions h S D G power density and o

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top