Справочник MOSFET. WMK099N10LGS

 

WMK099N10LGS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMK099N10LGS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 59 nC
   trⓘ - Время нарастания: 28.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0099 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для WMK099N10LGS

 

 

WMK099N10LGS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:610K  way-on
 wmk099n10lgs.pdf

WMK099N10LGS WMK099N10LGS

WMK099N10LGS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK099N10LGS uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. SDGFeatures TO-220 V = 100V, I =

 3.1. Size:443K  way-on
 wmk099n10lg2.pdf

WMK099N10LGS WMK099N10LGS

WMK099N10LG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK099N10LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. SFeatures DGTO-220 V = 100V, I = 65

 5.1. Size:542K  way-on
 wmk099n10hgs.pdf

WMK099N10LGS WMK099N10LGS

WMK099N10HGS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK099N10HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. SDGFeatures TO-220 V = 100V, I = 68A

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: KMB012N30Q

 

 
Back to Top