Справочник MOSFET. WMK099N10LGS

 

WMK099N10LGS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMK099N10LGS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 96 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 68 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 59 nC
   Время нарастания (tr): 28.5 ns
   Выходная емкость (Cd): 285 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0099 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для WMK099N10LGS

 

 

WMK099N10LGS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:610K  way-on
wmk099n10lgs.pdf

WMK099N10LGS WMK099N10LGS

WMK099N10LGS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK099N10LGS uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. SDGFeatures TO-220 V = 100V, I =

 3.1. Size:443K  way-on
wmk099n10lg2.pdf

WMK099N10LGS WMK099N10LGS

WMK099N10LG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK099N10LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. SFeatures DGTO-220 V = 100V, I = 65

 5.1. Size:542K  way-on
wmk099n10hgs.pdf

WMK099N10LGS WMK099N10LGS

WMK099N10HGS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK099N10HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. SDGFeatures TO-220 V = 100V, I = 68A

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SST70R190S3

 

 
Back to Top