WMK16N10T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WMK16N10T1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 20.6 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: TO220
WMK16N10T1 Datasheet (PDF)
wmk16n10t1.pdf

WMK16N10T1 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK16N10T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features SDG V =100V, I = 15.8A DS DTO-220R
wml16n65sr wmk16n65sr wmm16n65sr wmn16n65sr wmp16n65sr wmo16n65sr.pdf

WML16N65SR, W 65SR, WM SR WMK16N6 MM16N65S WMN16N65SR, WMP16N6 MO16N65S65SR, WM SR 650V 0.31 S unction P MOSFET0 Super Ju Power M TDescripptionWMOSTM SR is Wa new generation super ayons w junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reD S D G GG S D G Tand low ga charge perfo
wml16n70sr wmk16n70sr wmm16n70sr wmn16n70sr wmp16n70sr wmo16n70sr.pdf

WML16N70SR, W 70SR, WM SR WMK16N7 MM16N70S WMN16N70SR, WMP16N7 MO16N70S70SR, WM SR 700V 0.31 S unction P MOSFET0 Super Ju Power M TDescripptionWMOSTM SR is Wa new generation super ayons w junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reD S D G GG S D G Tand low ga charge perfo
wmk161n15t2.pdf

WMK161N15T2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMK161N15T2 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 150V, I = 161A DS DSDGR
Другие MOSFET... WMK119N12HG4 , WMK119N12LG4 , WMK120N04TS , WMK13N50D1B , WML13N50D1B , WMK15N50D1B , WML15N50D1B , WMK161N15T2 , IRF730 , WMK175N10HG4 , WMK175N10LG4 , WMK180N03TS , WMK18N50D1B , WML18N50D1B , WMJ18N50D1B , WMK18P10TS , WMK190N03TS .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMH65R430ACFP | JMH65R400MPLNFD | JMH65R400MKFD | JMH65R400MFFD | JMH65R360PK | JMH65R360PF | JMH65R360MK | JMH65R360MF | JMH65R360AK | JMH65R360AF | JMH65R290APLN | JMH65R290AF | JMH65R290AEFDQ | JMH65R290AE | JMH65R290ACFP | JMSH1003TTL
Popular searches
tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388