WMK175N10LG4 - описание и поиск аналогов

 

WMK175N10LG4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMK175N10LG4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0175 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для WMK175N10LG4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMK175N10LG4 даташит

 ..1. Size:604K  way-on
 wmk175n10lg4.pdf pdf_icon

WMK175N10LG4

WMK175N10LG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMK175N10LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. S D G Features TO-220 V = 100V, I =

 5.1. Size:599K  way-on
 wmk175n10hg4.pdf pdf_icon

WMK175N10LG4

WMK175N10HG4 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMK175N10HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. S D G Features TO-220 V = 100V, I =

Другие MOSFET... WMK120N04TS , WMK13N50D1B , WML13N50D1B , WMK15N50D1B , WML15N50D1B , WMK161N15T2 , WMK16N10T1 , WMK175N10HG4 , IRF1405 , WMK180N03TS , WMK18N50D1B , WML18N50D1B , WMJ18N50D1B , WMK18P10TS , WMK190N03TS , WMK190N15HG4 , WMK220N20HG3 .

History: STD20NF10 | WMK10N80M3 | 3N80L-TA3-T | 2SK436 | VS3622DP | AOB2904 | AOB600A70FL

 

 

 

 

↑ Back to Top
.