WMK18N50D1B. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: WMK18N50D1B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для WMK18N50D1B
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
WMK18N50D1B даташит
wmk18n50d1b wml18n50d1b wmj18n50d1b.pdf
WMK18N50D1B WML18N50D1B WMJ18N50D1B 500V 18A 0.28 N-ch Power MOSFET Description TO-247 TO-220 TO-220F WMOSTM D1 is Wayon s 1st generation VDMOS TAB TAB family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. G D S G D S G D S
wml18n50c4 wmo18n50c4 wmk18n50c4 wmn18n50c4 wmm18n50c4 wmj18n50c4.pdf
WML18N50C4, WMO18N5 WM C4 W 50C4, MK18N50C WMN18N50C4, WMM18N50C4, WM C4 MJ18N50C 500V 0.25 S T V Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C4 is Wa 4th generation super ayon s n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G and low ga charge performanc WMOSTM C
wml18n70em wmk18n70em wmm18n70em wmn18n70em wmp18n70em wmo18n70em.pdf
WML18 WMK18N7 8N70EM, W 70EM, WMM18N70EM WMN18 WMP18N7 8N70EM, W 70EM, WMO18N70EM 700V Super Ju MOSFET V 0.24 S unction Power M T Descrip ption WMOSTM EM is Wayon s 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga ce. WMOSTM EM is
wml18n65em wmk18n65em wmm18n65em wmn18n65em wmp18n65em wmo18n65em.pdf
WML18 WMK18N6 8N65EM, W 65EM, WMM18N65EM WMN18 WMP18N6 8N65EM, W 65EM, WMO18N65EM 650V Super Ju MOSFET V 0.24 S unction Power M T Descrip ption WMOSTM EM is Wayon s 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga ce. WMOSTM EM is
Другие MOSFET... WML13N50D1B , WMK15N50D1B , WML15N50D1B , WMK161N15T2 , WMK16N10T1 , WMK175N10HG4 , WMK175N10LG4 , WMK180N03TS , IRFZ48N , WML18N50D1B , WMJ18N50D1B , WMK18P10TS , WMK190N03TS , WMK190N15HG4 , WMK220N20HG3 , WMK25N06TS , WMK25N10T1 .
History: IRF8714G | WMK099N10LG2
History: IRF8714G | WMK099N10LG2
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941




