WMO35P04T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMO35P04T1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WMO35P04T1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO35P04T1 даташит

 ..1. Size:608K  way-on
 wmo35p04t1.pdf pdf_icon

WMO35P04T1

WMO35P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO35P04T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D Features S V = -40V, I = -35A DS D G TO-252 R

 7.1. Size:605K  way-on
 wmo35p06ts.pdf pdf_icon

WMO35P04T1

WMO35P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO35P06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D Features S V = -60V, I = -35A G DS D TO-252 R

 9.1. Size:466K  way-on
 wmo35n06t1.pdf pdf_icon

WMO35P04T1

WMO35N06T1 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO35N06T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain D superior switching performance. S G Features TO-252 V = 60V, I = 35A DS D R

Другие IGBT... WMO25P04TS, WMO25P06T1, WMO28N15T2, WMO2N100D1, WMAA2N100D1, WMO30P03TS, WMO30P10TS, WMO35N06T1, IRF540N, WMO35P06TS, WMO40N04TS, WMO50P03T1, WMO50P04T1, WMO55N03T1, WMO5N50D1B, WMO60N02T1, WMO60N04T1