FDS2572 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDS2572
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 29 nC
trⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.047 Ohm
Тип корпуса: SO-8
FDS2572 Datasheet (PDF)
fds2572.pdf
October 2001FDS2572150V, 0.047 Ohms, 4.9A, N-Channel UltraFET Trench MOSFETGeneral Description FeaturesUltraFET devices combine characteristics that enable RDS(ON) = 0.040 (Typ.), VGS = 10V benchmark efficiency in power conversion applications. Qg(TOT) = 29nC (Typ.), VGS = 10VOptimized for Rds(on), low ESR, low total and Miller gatecharge, these devices are ideal f
fds2572.pdf
July 2013FDS2572150V, 0.047 Ohms, 4.9A, N-Channel UltraFET Trench MOSFETGeneral Description FeaturesUltraFET devices combine characteristics that enable RDS(ON) = 0.040 (Typ.), VGS = 10V benchmark efficiency in power conversion applications. Qg(TOT) = 29nC (Typ.), VGS = 10VOptimized for Rds(on), low ESR, low total and Miller gatecharge, these devices are ideal for
fds2582.pdf
September 2002FDS2582N-Channel PowerTrench MOSFET150V, 4.1A, 66mFeatures Applications rDS(ON) = 57m (Typ.), VGS = 10V, ID = 4.1A DC/DC converters and Off-Line UPS Qg(tot) = 19nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode High Voltage Synchronous Rect
fds2582.pdf
FDS2582www.VBsemi.twN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = 10 V 5.4 Extremely Low Qgd for Switching Losses150 23 nC0.085 at VGS = 8 V 4.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDAPPLICATIONSSO-8
Другие MOSFET... FDPF8N50NZF , FDPF8N50NZU , FDPF8N60ZUT , STF2459A , FDQ7236AS , STF2458A , FDQ7238AS , STF2458 , TK10A60D , FDS2582 , FDS2670 , STF2456 , FDS2672 , STF2455 , FDS2672F085 , STF2454A , FDS2734 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918