Справочник MOSFET. WML6N80D1

 

WML6N80D1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WML6N80D1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 29 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 27.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для WML6N80D1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WML6N80D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1168K  way-on
wmo6n80d1 wml6n80d1.pdfpdf_icon

WML6N80D1

WMO6N80D1 WML6N80D1800V 6A 2.5 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-220FTO-252WMOSTM D1 is Wayons 1st generationVDMOS family that is dramatic reductionTABin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerdensity and high efficiency. And it is veryDGGrobust and RoHS compliant.DSSFeatures Typ.R =2.5@V =10VDS(on) GS 100%

 9.1. Size:1270K  way-on
wmk6n90d1 wml6n90d1 wmm6n90d1.pdfpdf_icon

WML6N80D1

WMK6N90D1 WML6N90D1 WMM6N90D1900V 6A 1.7 N-ch Power MOSFETDescriptionTO-263TO-220 TO-220FWMOSTM D1 is Wayons 1st generationTABVDMOS family that is dramatic reductionin on-resistance and ultra-low gate chargefor applications requiring high powerdensity and high efficiency. And it is veryrobust and RoHS compliant.DGG GDDS SSFeatures Typ.R =1.7@V =

 9.2. Size:1227K  way-on
wml6n100d1.pdfpdf_icon

WML6N80D1

WML6N100D1 1000V 6A 2.1 N-ch Power MOSFET Description TO-220F WMOSTM D1 is Wayons 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. Features G V =1050V@T DS jmaxD S Typ.R =2.1@V =10V DS(on)

Другие MOSFET... WMO55N03T1 , WMO5N50D1B , WMO60N02T1 , WMO60N04T1 , WMO60P02TS , WMO60P03TS , WMO690N15HG2 , WMO6N80D1 , P55NF06 , WMO75N04T1 , WMO80N03T1 , WMO80N06TS , WMO80N08TS , WMO80P04TS , WMO90N02T1 , WMO90P03TS , WMO90P04TS .

History: IRFL014PBF | IRHQ9110

 

 
Back to Top

 


 
.