WMQ090NV6LG4. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: WMQ090NV6LG4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 355 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: PDFN3030-8L
Аналог (замена) для WMQ090NV6LG4
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
WMQ090NV6LG4 даташит
wmq090nv6lg4.pdf
WMQ090NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D WMQ090NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench D D MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the S G S S S S on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G S This device is well suited for high efficiency fast switching applications.
wmq090n04lg2.pdf
WMQ090N04LG2 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D D D WMQ090N04LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET S G S technology that has been especially tailored to minimize the on-state S S S G S resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PD
wmq099n10lg2.pdf
WMQ099N10LG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D WMQ099N10LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET D D D D technology that has been especially tailored to minimize the on-state S G S S resistance and yet maintain superior switching performance. This S S G S device is well suited for high efficiency fast switching applications P
wmq098n03lg2.pdf
WMQ098N03LG2 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D D D WMQ098N03LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET S G technology that has been especially tailored to minimize the on-state S S S S G S resistance and yet maintain superior switching performance. This PDFN3030-8L device is well suited for high efficiency fast switching app
Другие MOSFET... WMQ040N03LG2 , WMQ048NV6HG4 , WMQ048NV6LG4 , WMQ050N03LG4 , WMQ050N04LG2 , WMQ060N08LG2 , WMQ080N03LG2 , WMQ090N04LG2 , K4145 , WMQ098N03LG2 , WMQ099N10LG2 , WMQ10N10TS , WMQ119N10LG2 , WMQ12P10TS , WMQ140DNV6LG4 , WMQ140NV6LG4 , WMQ15DN04TS .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet




