WMQ090NV6LG4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMQ090NV6LG4
Маркировка: 090NV6L4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 21.7 nC
trⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 355 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: PDFN3030-8L
Аналог (замена) для WMQ090NV6LG4
WMQ090NV6LG4 Datasheet (PDF)
wmq090nv6lg4.pdf
WMQ090NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDDDWMQ090NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench D DMOSFET technology that has been especially tailored to minimize the SGSSSSon-state resistance and yet maintain superior switching performance. GSThis device is well suited for high efficiency fast switching applications.
wmq090n04lg2.pdf
WMQ090N04LG2 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DD DDDD DWMQ090N04LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET SGStechnology that has been especially tailored to minimize the on-state SSSGSresistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PD
wmq099n10lg2.pdf
WMQ099N10LG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDWMQ099N10LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET DDD Dtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state SGSSresistance and yet maintain superior switching performance. This SSGSdevice is well suited for high efficiency fast switching applicationsP
wmq098n03lg2.pdf
WMQ098N03LG2 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDDDD DWMQ098N03LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET SGtechnology that has been especially tailored to minimize the on-state SSSSGSresistance and yet maintain superior switching performance. This PDFN3030-8Ldevice is well suited for high efficiency fast switching app
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100