Справочник MOSFET. FDS6673BZF085

 

FDS6673BZF085 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDS6673BZF085
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 88 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для FDS6673BZF085

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS6673BZF085 Datasheet (PDF)

 5.1. Size:226K  fairchild semi
 fds6673bz.pdf pdf_icon

FDS6673BZF085

March 2009FDS6673BZP-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -14.5A, 7.8mGeneral Description FeaturesThis P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Max rDS(on) = 7.8m, VGS = -10V, ID = -14.5A Semiconductors advanced Power Trench process that Max rDS(on) = 12m, VGS = -4.5V, ID = -12Ahas been especially tailored to minimize the on-state Extended VGS range (-25V) for b

 5.2. Size:600K  fairchild semi
 fds6673bz f085.pdf pdf_icon

FDS6673BZF085

July 2009FDS6673BZ_F085 P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -14.5A, 7.8mGeneral Description FeaturesThis P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Max rDS(on) = 7.8m, VGS = -10V, ID = -14.5A Semiconductors advanced Power Trench process that Max rDS(on) = 12m, VGS = -4.5V, ID = -12Ahas been especially tailored to minimize the on-state Extended VGS range (-25V)

 5.3. Size:285K  onsemi
 fds6673bz.pdf pdf_icon

FDS6673BZF085

FDS6673BZP-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -14.5A, 7.8mFeaturesGeneral Description Max rDS(on) = 7.8m, VGS = -10V, ID = -14.5AThis P-Channel MOSFET is produced using ON Semiconductors advanced Power Trench process that Max rDS(on) = 12m, VGS = -4.5V, ID = -12Ahas been especially tailored to minimize the on-state Extended VGS range (-25V) for battery applicatio

 5.4. Size:812K  cn vbsemi
 fds6673bz.pdf pdf_icon

FDS6673BZF085

FDS6673BZwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg TestedRoHS- 30 29.5 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.015 at VGS = - 4.5 V - 11.6APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSO-8 S S1 8 DS D2 7G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: APT20M45BVFR

 

 
Back to Top

 


 
.