Справочник MOSFET. SWP036R10E8S

 

SWP036R10E8S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWP036R10E8S
   Маркировка: SW036R10E8S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 175 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 85 nC
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 939 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SWP036R10E8S

 

 

SWP036R10E8S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:752K  samwin
 swp036r10e8s swb036r10e8s.pdf

SWP036R10E8S SWP036R10E8S

SW036R10E8SN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 100V High ruggednessID : 175A Low RDS(ON) (Typ 3.8m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 85nC)RDS(ON) :3.8m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested211 Application:Synchronous Rectification,2233Li Battery Protect Board, Motor Drivers11. Gate 2.

 9.1. Size:832K  samwin
 swp035r10e6s.pdf

SWP036R10E8S SWP036R10E8S

SW035R10E6SN-channel Enhanced mode TO-220 MOSFETFeaturesTO-220BVDSS : 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.1m)@VGS=10VID : 120A Low Gate Charge (Typ 96nC)RDS(ON) : 4.1m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested1 Application:Synchronous Rectification,23Li Battery Protect Board, Inverter21. Gate 2.Drain 3.Source1General Des

 9.2. Size:725K  samwin
 swp031r06et swb031r06et.pdf

SWP036R10E8S SWP036R10E8S

SW031R06ET N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-263 TO-220 BVDSS : 60V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.0m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.0m Low Gate Charge (Typ 148nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Electronic Ballast , Motor 3 3 Control , Synchronous Rectificat

 9.3. Size:728K  samwin
 swb038r10es swp038r10es.pdf

SWP036R10E8S SWP036R10E8S

SW038R10ES N-channel Enhanced mode TO-263/TO-220 MOSFET Features TO-263 TO-220 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.6m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.6m Low Gate Charge (Typ 132nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 2 Application:Synchronous Rectification, 2 3 3 Inverter , Li Battery Protect Bo

 9.4. Size:978K  samwin
 swp030r04vt swb030r04vt.pdf

SWP036R10E8S SWP036R10E8S

SW030R04VTN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 BVDSS : 40VTO-263 High ruggednessID : 130A Low RDS(ON) (Typ 3.7m)@VGS=4.5VRDS(ON) : 3.7m@VGS=4.5V(Typ 2.8m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 120nC)2.8m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 12 2 100% Avalanche Tested23 3 Application:Power Supply,LED Boost1. Gate 2.

 9.5. Size:905K  samwin
 sw038r10es swb038r10es swp038r10es swt038r10es.pdf

SWP036R10E8S SWP036R10E8S

SW038R10ES N-channel Enhanced mode TO-263/TO-220/TO-247 MOSFET Features TO-263 TO-220 TO-247 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.6m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.6m Low Gate Charge (Typ 132nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 1 2 Application:Synchronous Rectification, 2 2 3 3 3 Inverter ,

 9.6. Size:648K  samwin
 swp038r04vt.pdf

SWP036R10E8S SWP036R10E8S

SW038R04VT N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFET Features TO-220 BVDSS : 40V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.3m)@VGS=4.5V ID : 95A (Typ 3.8m)@VGS=10V RDS(ON) : 4.3m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 105nC) Improved dv/dt Capability 3.8m@VGS=10V 100% Avalanche Tested 1 2 Application:DC-DC Converter, Motor Control, 3 2 Sy

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top