Справочник MOSFET. SWR601Q

 

SWR601Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWR601Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.02 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2.6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 700 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для SWR601Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWR601Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:511K  samwin
 swr601q.pdf pdf_icon

SWR601Q

SW601Q N-channel Depletion mode SOT23 MOSFET BVDSS : 600V SOT23 3 Features ID : 0.02A RDS(ON) : 540 Low RDS(ON) (Typ 540)@VGS=0V,ID=3mA High Switching Speed 1 Application:LED,Charger 3 2 1. Source 2. Gate 3. Drain 2 General Description 1 The SW601Q is an N-channel power MOSFET using SAMWINs Advanced technology to provide the customers with

Другие MOSFET... SWP740D , SWP7N65K , SWP7N70K , SWP80N08V1 , SWP830D1 , SWP8N65D , SWP9N25D , SWP9N50D , IRF830 , SWSA1N60DC , SWSA2N40D , SWSI2N40DC , SWSI4N40DC , SWSI4N60D , SWSI4N60DA , SWSI4N70D1 , SWT10N50K .

History: NCE60NP4035K

 

 
Back to Top

 


 
.