SWR601Q - описание и поиск аналогов

 

SWR601Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWR601Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 6 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.02 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 700 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для SWR601Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWR601Q даташит

 ..1. Size:511K  samwin
 swr601q.pdf pdf_icon

SWR601Q

SW601Q N-channel Depletion mode SOT23 MOSFET BVDSS 600V SOT23 3 Features ID 0.02A RDS(ON) 540 Low RDS(ON) (Typ 540 )@VGS=0V,ID=3mA High Switching Speed 1 Application LED,Charger 3 2 1. Source 2. Gate 3. Drain 2 General Description 1 The SW601Q is an N-channel power MOSFET using SAMWIN s Advanced technology to provide the customers with

Другие MOSFET... SWP740D , SWP7N65K , SWP7N70K , SWP80N08V1 , SWP830D1 , SWP8N65D , SWP9N25D , SWP9N50D , 2N60 , SWSA1N60DC , SWSA2N40D , SWSI2N40DC , SWSI4N40DC , SWSI4N60D , SWSI4N60DA , SWSI4N70D1 , SWT10N50K .

History: GKI07174 | SPD3N80G | IRL520NP | RCJ700N20 | S45N17RN | RCX081N20 | P0160AI

 

 

 

 

↑ Back to Top
.