Справочник MOSFET. S60N10M

 

S60N10M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: S60N10M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 116 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 564 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для S60N10M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

S60N10M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:975K  cn si-tech
s60n10m.pdfpdf_icon

S60N10M

S60N10MSI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures ApplicationsV =60V,I =100ADS DDC Motor ControlRds(on)(typ)=4.8m@Vgs=10VDC-DC Converters100% Avalanche TestedBMS100% Rg TestedSMPSLead-Free (RoHS Compliant)Automotive EnvironmentInternal Circuit and Pin DescriptionDDGGSSPackage

 8.1. Size:535K  jilin sino
jcs60n10i.pdfpdf_icon

S60N10M

N N-CHANNEL MOSFET JCS60N10I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 60A VDSS 100V Rdson-max - 16m (@Vgs=10V Qg-typ 51nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive app

 8.2. Size:550K  cn hmsemi
hms60n10d.pdfpdf_icon

S60N10M

HMS60N10DN-Channel Super Trench Power MOSFET Primary Version Description The HMS60N10D uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching an

 9.1. Size:2299K  1
s60n12r s60n12s s60n12rn s60n12rp.pdfpdf_icon

S60N10M

S60N12R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=60V,ID=120A DC Motor Control Rds(on)(typ)=4.5m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DDGG G GG D DD

Другие MOSFET... S40N14R , S40N14RN , S40N14RP , S45N17R , S45N17RN , S45N17RP , S45N17S , S60N06M , IRF2807 , S60N15R , S60N15RN , S60N15RP , S60N15S , S60N18R , S60N18RN , S60N18RP , S60N18S .

History: AP4420GH | TSM4436CS | NTD4854N-1G | BL8N60-U | AOT11S60L | BL8N60-A | VBZA9926

 

 
Back to Top

 


 
.