HGA059N12SL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HGA059N12SL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 67 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 441 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HGA059N12SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA059N12SL даташит

 ..1. Size:812K  cn hunteck
 hga059n12sl.pdf pdf_icon

HGA059N12SL

HGA059N12SL P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Smooth Switching, Logic Level 5 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability 67 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Drain Pin2 Power Tools

 4.1. Size:812K  cn hunteck
 hga059n12s.pdf pdf_icon

HGA059N12SL

HGA059N12S P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Smooth Switching 4.7 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability 66.7 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Drain TO-220F Pin2 Power Tools

 7.1. Size:973K  cn hunteck
 hga059n08a.pdf pdf_icon

HGA059N12SL

HGA059N08A P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching 5.3 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 49 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit Pin2 TO-220

 9.1. Size:762K  cn hunteck
 hga058n08sl.pdf pdf_icon

HGA059N12SL

HGA058N08SL P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching,Logic Level 4.3 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 5.9 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 63 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Swit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGA046NE6A, HGA046NE6AL, HGA053N06S, HGA053N06SL, HGA055N10SL, HGA058N08SL, HGA059N08A, HGA059N12S, IRFP260, HGA080N10A, HGA080N10AL, HGA080N10S, HGA082N10M, HGA090N06SL, HGA093N12SL, HGA098N10A, HGA098N10AL