HGA080N10S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGA080N10S
Маркировка: GA080N10S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 33 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 42 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 28 nC
Время нарастания (tr): 6 ns
Выходная емкость (Cd): 573 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0088 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для HGA080N10S
HGA080N10S Datasheet (PDF)
hga080n10s.pdf
HGA080N10S P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching100 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability7.3RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness42 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPSPin2 Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in Telecoms
hga080n10a.pdf
P-1HGA080N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching7.6RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability43.5 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit
hga080n10al.pdf
HGA080N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.1RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability9.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness45 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain
hga082n10m.pdf
HGA082N10M P-1100V N-Ch Power MOSFET100 VFeature VDS6.4RDS(on),typ m Optimized for high speed smooth switching8.2RDS(on),max m Enhanced Body diode dv/dt capability48 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed CircuitPin
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
