HGB037N10S - аналоги и даташиты транзистора

 

HGB037N10S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGB037N10S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для HGB037N10S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB037N10S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:918K  cn hunteck
 hgb037n10s hgk037n10s hgp037n10s.pdf pdf_icon

HGB037N10S

HGB037N10S HGK037N10S P-1,HGP037N10S100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 2.8RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 3RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 3.1RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested190 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limited)Ap

 5.1. Size:1604K  cn hunteck
 hgb037n10t hgp037n10t hga037n10t.pdf pdf_icon

HGB037N10S

HGB037N10T HGP037N10T P-1,HGA037N10T100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Smooth Switching3.7RDS(on),max mW Enhanced Body diode dv/dt capability168 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Power Tools

 6.1. Size:1006K  cn hunteck
 hgb037n15m.pdf pdf_icon

HGB037N10S

P-1HGB037N15M150V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Smooth Switching150 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability3.1RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness220 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDrain Power ToolsPin4TO-263-7

 9.1. Size:968K  cn hunteck
 hgb035n08a hgp035n08a.pdf pdf_icon

HGB037N10S

HGB035N08A , HGP035N08A P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 3RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 3.3RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness161 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and Hig

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGP029N06SL , HGB029NE4SL , HGP029NE4SL , HGB035N08A , HGP035N08A , HGB035N10A , HGK035N10A , HGP035N10A , 7N65 , HGK037N10S , HGP037N10S , HGB037N10T , HGP037N10T , HGA037N10T , HGB037N15M , HGB039N08A , HGP039N08A .

History: CHM7400WGP | CHM73A3PAGP | SSM9406GM | HGW100N12SL | SSM90T03GP | SSM9408GH

 

 
Back to Top

 


 
.