HGP039N08S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGP039N08S
Маркировка: GP039N08S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 250 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 64 nC
Время нарастания (tr): 13 ns
Выходная емкость (Cd): 602 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0038 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для HGP039N08S
HGP039N08S Datasheet (PDF)
hgb039n08s hgk039n08s hgp039n08s.pdf
,HGB039N08S HGK039N08S P-1HGP039N08S80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 2.9RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 3.1RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 3.2RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested187 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limit
hgb039n08a hgp039n08a.pdf
,HGB039N08A HGP039N08A P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 2.9RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 3.2RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness196 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested180 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectific
hgb039n12s hgk039n12s hgp039n12s.pdf
,HGB039N12S HGK039N12S P-1HGP039N12S120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Smooth Switching3.6RDS(on),TYP m Enhanced Body diode dv/dt capability197 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness180 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard
hgb039n15m hgp039n15m.pdf
, P-1HGB039N15M HGP039N15M150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 3.2RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 3.6RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness206 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested180 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectificat
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
