HGB050N10A datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: HGB050N10A 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 179 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 125 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 571 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Тип корпуса: TO-263
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для HGB050N10A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HGB050N10A даташит
hgb050n10a hgp050n10a.pdf
, P-1 HGB050N10A HGP050N10A 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching TO-263 4.5 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 4.8 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 125 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS TO-220 TO-263 Hard Switching and Hig
hgb050n14s hgp050n14s.pdf
, HGB050N14S HGP050N14S P-1 135V N-Ch Power MOSFET Feature 135 V VDS High Speed Power Smooth Switching 4.5 RDS(on),TYP m Enhanced Body diode dv/dt capability 175 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 180 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching a
hgb059n08a hgp059n08a.pdf
, P-1 HGB059N08A HGP059N08A 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching TO-263 4.9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 5.2 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 97 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain
hgb059n12s hgp059n12s.pdf
, HGB059N12S HGP059N12S P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 4.4 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 4.7 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 160 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 120 A ID (Package Limited) Lead Free Application Synchronous Rectif
Другие IGBT... HGB046NE6A, HGP046NE6A, HGB046NE6AL, HGP046NE6AL, HGB047N12S, HGP047N12S, HGB049N10S, HGP049N10S, IRFP250, HGP050N10A, HGB050N14S, HGP050N14S, HGB053N06S, HGP053N06S, HGB053N06SL, HGP053N06SL, HGB055N12S
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: AGM150P10S | AO4832 | AGM304A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569










