HGB080N08SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGB080N08SL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 247 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0077 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGB080N08SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB080N08SL даташит

 ..1. Size:814K  cn hunteck
 hgb080n08sl hgp080n08sl.pdf pdf_icon

HGB080N08SL

HGB080N08SL , HGP080N08SL P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 6.0 RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability VGS=4.5V 8.4 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 6.3 RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS=4.5V 8.7 RDS(on),typ m Lead Free, Halogen

 7.1. Size:924K  cn hunteck
 hgb080n10al hgp080n10al.pdf pdf_icon

HGB080N08SL

HGB080N10AL , HGP080N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 6.9 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 9 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 7.1 RDS(on),typ VGS=10V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 9.3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Lead Free, Halogen Free 85 A ID (Sillico

 7.2. Size:915K  cn hunteck
 hgb080n10a hgp080n10a.pdf pdf_icon

HGB080N08SL

, P-1 HGB080N10A HGP080N10A 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching TO-263 7.6 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 7.6 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 84.3 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching

 9.1. Size:1212K  cn hunteck
 hgb088n15s hgp088n15s.pdf pdf_icon

HGB080N08SL

HGB088N15S HGP088N15S , P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching 7.9 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 113 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGP059N12SL, HGB068N15S, HGP068N15S, HGB070N12S, HGP070N12S, HGB070N15S, HGK070N15S, HGP070N15S, IRF9640, HGP080N08SL, HGB080N10A, HGP080N10A, HGB080N10AL, HGP080N10AL, HGB082N10M, HGP082N10M, HGB088N15S