Справочник MOSFET. HGB082N10M

 

HGB082N10M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGB082N10M
   Маркировка: GB082N10M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 56 nC
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0079 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для HGB082N10M

 

 

HGB082N10M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:852K  cn hunteck
 hgb082n10m hgp082n10m.pdf

HGB082N10M HGB082N10M

,HGB082N10M HGP082N10M P-1100V N-Ch Power MOSFET100 VFeature VDSTO-263 6.1RDS(on),typ m Optimized for high speed smooth switchingTO-220 6.4RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability100 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switchin

 9.1. Size:1212K  cn hunteck
 hgb088n15s hgp088n15s.pdf

HGB082N10M HGB082N10M

HGB088N15S HGP088N15S, P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature 150 VVDS High Speed Power Switching 7.9RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 113 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching a

 9.2. Size:924K  cn hunteck
 hgb080n10al hgp080n10al.pdf

HGB082N10M HGB082N10M

HGB080N10AL , HGP080N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level6.9RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability9RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness7.1RDS(on),typ VGS=10V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested9.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Lead Free, Halogen Free85 AID (Sillico

 9.3. Size:814K  cn hunteck
 hgb080n08sl hgp080n08sl.pdf

HGB082N10M HGB082N10M

HGB080N08SL , HGP080N08SL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level6.0RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capabilityVGS=4.5V8.4RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness6.3RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg TestedVGS=4.5V8.7RDS(on),typ m Lead Free, Halogen

 9.4. Size:915K  cn hunteck
 hgb080n10a hgp080n10a.pdf

HGB082N10M HGB082N10M

, P-1HGB080N10AHGP080N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 7.6RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 7.6RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness84.3 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: S15H11S

 

 
Back to Top