HGB082N10M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGB082N10M  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0079 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGB082N10M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB082N10M даташит

 ..1. Size:852K  cn hunteck
 hgb082n10m hgp082n10m.pdf pdf_icon

HGB082N10M

, HGB082N10M HGP082N10M P-1 100V N-Ch Power MOSFET 100 V Feature VDS TO-263 6.1 RDS(on),typ m Optimized for high speed smooth switching TO-220 6.4 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability 100 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switchin

 9.1. Size:1212K  cn hunteck
 hgb088n15s hgp088n15s.pdf pdf_icon

HGB082N10M

HGB088N15S HGP088N15S , P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching 7.9 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 113 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching a

 9.2. Size:924K  cn hunteck
 hgb080n10al hgp080n10al.pdf pdf_icon

HGB082N10M

HGB080N10AL , HGP080N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 6.9 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 9 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 7.1 RDS(on),typ VGS=10V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 9.3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Lead Free, Halogen Free 85 A ID (Sillico

 9.3. Size:814K  cn hunteck
 hgb080n08sl hgp080n08sl.pdf pdf_icon

HGB082N10M

HGB080N08SL , HGP080N08SL P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 6.0 RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability VGS=4.5V 8.4 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 6.3 RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS=4.5V 8.7 RDS(on),typ m Lead Free, Halogen

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGK070N15S, HGP070N15S, HGB080N08SL, HGP080N08SL, HGB080N10A, HGP080N10A, HGB080N10AL, HGP080N10AL, MMIS60R580P, HGP082N10M, HGB088N15S, HGP088N15S, HGB090N06SL, HGP090N06SL, HGB095NE4SL, HGP095NE4SL, HGB098N10A