HGB088N15S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGB088N15S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 273 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 113 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 333 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HGB088N15S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB088N15S даташит

 ..1. Size:1212K  cn hunteck
 hgb088n15s hgp088n15s.pdf pdf_icon

HGB088N15S

HGB088N15S HGP088N15S , P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching 7.9 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 113 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching a

 9.1. Size:924K  cn hunteck
 hgb080n10al hgp080n10al.pdf pdf_icon

HGB088N15S

HGB080N10AL , HGP080N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 6.9 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 9 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 7.1 RDS(on),typ VGS=10V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 9.3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Lead Free, Halogen Free 85 A ID (Sillico

 9.2. Size:814K  cn hunteck
 hgb080n08sl hgp080n08sl.pdf pdf_icon

HGB088N15S

HGB080N08SL , HGP080N08SL P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 6.0 RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability VGS=4.5V 8.4 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 6.3 RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS=4.5V 8.7 RDS(on),typ m Lead Free, Halogen

 9.3. Size:915K  cn hunteck
 hgb080n10a hgp080n10a.pdf pdf_icon

HGB088N15S

, P-1 HGB080N10A HGP080N10A 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching TO-263 7.6 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 7.6 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 84.3 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGB080N08SL, HGP080N08SL, HGB080N10A, HGP080N10A, HGB080N10AL, HGP080N10AL, HGB082N10M, HGP082N10M, AO4407A, HGP088N15S, HGB090N06SL, HGP090N06SL, HGB095NE4SL, HGP095NE4SL, HGB098N10A, HGP098N10A, HGB098N10AL