Справочник MOSFET. HGB088N15S

 

HGB088N15S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGB088N15S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 273 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 113 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 333 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для HGB088N15S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGB088N15S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1212K  cn hunteck
hgb088n15s hgp088n15s.pdfpdf_icon

HGB088N15S

HGB088N15S HGP088N15S, P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature 150 VVDS High Speed Power Switching 7.9RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 113 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching a

 9.1. Size:924K  cn hunteck
hgb080n10al hgp080n10al.pdfpdf_icon

HGB088N15S

HGB080N10AL , HGP080N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level6.9RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability9RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness7.1RDS(on),typ VGS=10V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested9.3RDS(on),typ VGS=4.5V mW Lead Free, Halogen Free85 AID (Sillico

 9.2. Size:814K  cn hunteck
hgb080n08sl hgp080n08sl.pdfpdf_icon

HGB088N15S

HGB080N08SL , HGP080N08SL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level6.0RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capabilityVGS=4.5V8.4RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness6.3RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg TestedVGS=4.5V8.7RDS(on),typ m Lead Free, Halogen

 9.3. Size:915K  cn hunteck
hgb080n10a hgp080n10a.pdfpdf_icon

HGB088N15S

, P-1HGB080N10AHGP080N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power SwitchingTO-263 7.6RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 7.6RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness84.3 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching

Другие MOSFET... HGB080N08SL , HGP080N08SL , HGB080N10A , HGP080N10A , HGB080N10AL , HGP080N10AL , HGB082N10M , HGP082N10M , AO3407 , HGP088N15S , HGB090N06SL , HGP090N06SL , HGB095NE4SL , HGP095NE4SL , HGB098N10A , HGP098N10A , HGB098N10AL .

History: CJ3139KDW | RJK5013DPE | FDS5170N7 | IXTQ96N15P | MTW35N15E | SIHFBE20

 

 
Back to Top

 


 
.