Справочник MOSFET. SP3900

 

SP3900 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SP3900
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3

 Аналог (замена) для SP3900

 

 

SP3900 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  samhop
 sp3900.pdf

SP3900 SP3900

GreenProductSP3900aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.42 @ VGS=10VSuface Mount Package.30V 4.5A74 @ VGS=4.5V D1 D1 D2 D2DFN 3x3PIN1S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless oth

 9.1. Size:111K  samhop
 sp3901.pdf

SP3900 SP3900

GreenProductSP3901aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.50 @ VGS=10VSuface Mount Package.30V 5.8A80 @ VGS=4.5VD1 D1 D2 D2PIN1PDFN 5x6S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless oth

 9.2. Size:112K  samhop
 sp3902.pdf

SP3900 SP3900

GreenProductSP3902aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.17 @ VGS=10VSuface Mount Package.30V 10A27 @ VGS=4.5V D1 D1 D2 D2PIN1PDFN 5x6S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless oth

 9.3. Size:113K  samhop
 sp3903.pdf

SP3900 SP3900

GreenProductSP3903aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.4Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.22 @ VGS=10VSuface Mount Package.30V 7.5A32 @ VGS=4.5V D1 D1 D2 D2PIN1PDFN 5x6S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless ot

 9.4. Size:107K  samhop
 sp3906.pdf

SP3900 SP3900

GreenProductSP3906aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.85 @ VGS=10VSuface Mount Package.35V 5A131 @ VGS=4.5VESD Protected.5 4D2 G 26D2 3S 2PIN1D1 7 2 G 18 1D1 S 1PDFN 5x6(TA=

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top