Справочник MOSFET. HGD040N06SL

 

HGD040N06SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGD040N06SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HGD040N06SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:894K  cn hunteck
 hgd040n06sl hgi040n06sl.pdf pdf_icon

HGD040N06SL

HGD040N06SL HGI040N06SL P-1,60V N-Ch Power MOSFET60 VVDSFeature3.3RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level4RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability132 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness70 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplica

 4.1. Size:998K  cn hunteck
 hgd040n06s.pdf pdf_icon

HGD040N06SL

P-1HGD040N06S60V N-Ch Power MOSFET60 VVDSFeature3.4RDS(on),typ mW Optimized for high speed switching144 AID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability70 AID (Package Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switchi

 9.1. Size:898K  cn hunteck
 hgd046ne6a.pdf pdf_icon

HGD040N06SL

P-1HGD046NE6A65V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching4RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability101 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit Pin2

 9.2. Size:818K  cn hunteck
 hgd045ne4sl.pdf pdf_icon

HGD040N06SL

HGD045NE4SL P-145V N-Ch Power MOSFET45 VVDSFeature3.5RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level4.6RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability114 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness70 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Syn

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: FTK840P | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV | IRLML9301TRPBF | PTQ45P02 | RU7550S | AUIRFZ34N

 

 
Back to Top

 


 
.