HGD046NE6AL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HGD046NE6AL
Маркировка: GD046NE6AL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 94 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 65 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 101 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 41 nC
Время нарастания (tr): 8 ns
Выходная емкость (Cd): 870 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0046 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для HGD046NE6AL
HGD046NE6AL Datasheet (PDF)
hgd046ne6al.pdf
P-1HGD046NE6AL65V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching, Logic level3.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability5.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness101 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain
hgd046ne6a.pdf
P-1HGD046NE6A65V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching4RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability101 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit Pin2
hgd045ne4sl.pdf
HGD045NE4SL P-145V N-Ch Power MOSFET45 VVDSFeature3.5RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level4.6RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability114 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness70 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Syn
hgd040n06sl hgi040n06sl.pdf
HGD040N06SL HGI040N06SL P-1,60V N-Ch Power MOSFET60 VVDSFeature3.3RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level4RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability132 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness70 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplica
hgd040n06s.pdf
P-1HGD040N06S60V N-Ch Power MOSFET60 VVDSFeature3.4RDS(on),typ mW Optimized for high speed switching144 AID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability70 AID (Package Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switchi
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
