HGD046NE6AL - описание и поиск аналогов

 

HGD046NE6AL - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HGD046NE6AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 101 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 870 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для HGD046NE6AL

 

HGD046NE6AL технические параметры

 ..1. Size:898K  cn hunteck
 hgd046ne6al.pdf pdf_icon

HGD046NE6AL

P-1 HGD046NE6AL 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching, Logic level 3.8 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 5.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 101 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain

 4.1. Size:898K  cn hunteck
 hgd046ne6a.pdf pdf_icon

HGD046NE6AL

P-1 HGD046NE6A 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching 4 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 101 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit Pin2

 9.1. Size:818K  cn hunteck
 hgd045ne4sl.pdf pdf_icon

HGD046NE6AL

HGD045NE4SL P-1 45V N-Ch Power MOSFET 45 V VDS Feature 3.5 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level 4.6 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability 114 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 70 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Syn

 9.2. Size:894K  cn hunteck
 hgd040n06sl hgi040n06sl.pdf pdf_icon

HGD046NE6AL

HGD040N06SL HGI040N06SL P-1 , 60V N-Ch Power MOSFET 60 V VDS Feature 3.3 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level 4 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability 132 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 70 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Applica

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGD032NE4S , HGD035N08A , HGD035N08AL , HGD040N06S , HGD040N06SL , HGI040N06SL , HGD045NE4SL , HGD046NE6A , AO3407 , HGD050N10A , HGD053N06S , HGD053N06SL , HGI053N06SL , HGD058N08SL , HGD059N08A , HGI059N08A , HGD059N08AL .

History: JMSH1535AGQ

 

 
Back to Top

 


 
.