Справочник MOSFET. SP2108

 

SP2108 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SP2108
   Маркировка: 2108
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 3.4 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.811 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для SP2108

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SP2108 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:106K  samhop
 sp2108.pdf pdf_icon

SP2108

GreenProductSP2108aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.811 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 1.2A932 @ VGS=4.5VESD Protected.5 4D2 G 26D2 3S 2PIN1D1 7 2 G 18 1D1 S 1PDFN 5x6

 9.1. Size:119K  samhop
 sp2102.pdf pdf_icon

SP2108

GreenProductSP2102aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.100V 2.0A 216 @ VGS=10VSuface Mount Package.D1 D1 D2 D2DFN 3x3PIN1S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless otherwise noted)

 9.2. Size:111K  samhop
 sp2107.pdf pdf_icon

SP2108

GreenProductSP2107aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () MaxRugged and reliable.0.8 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 1.2A0.93 @ VGS=4.5VESD Protected.5 4D2 G 26 3D2 S 2PIN1D1 7 2 G 18 1D1 S 1PDFN 5x6A

 9.3. Size:111K  samhop
 sp2103.pdf pdf_icon

SP2108

GreenProductSP2103aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.3Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.220 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 2.2A350 @ VGS=4.5VD1 D1 D2 D2PIN1PDFN 5x6S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SP2700 , FDS8896 , SP2458 , FDS89141 , SP2112 , FDS89161 , SP2110 , FDS89161LZ , IRF830 , FDS8928A , SP2107 , SP2106 , FDS8935 , FDS8949 , FDS8949F085 , FDS8958AF085 , SP2103 .

History: SVSP20N60SD2TR | IRFIB5N65A | FQP34N20 | 3SK122 | IRLL3303 | SSS4N80AS

 

 
Back to Top

 


 
.