Справочник MOSFET. HGN027N06S

 

HGN027N06S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGN027N06S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1540 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HGN027N06S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN027N06S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:763K  cn hunteck
 hgn027n06s.pdf pdf_icon

HGN027N06S

HGN027N06S P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching2.2RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability152 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switch

 9.1. Size:901K  cn hunteck
 hgn023ne6a.pdf pdf_icon

HGN027N06S

HGN023NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching2.2RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability162 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and Hi

 9.2. Size:905K  cn hunteck
 hgn028ne6a.pdf pdf_icon

HGN027N06S

HGN028NE6A P-165V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching2.4RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability130 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and Hi

 9.3. Size:772K  cn hunteck
 hgn021n06sl.pdf pdf_icon

HGN027N06S

HGN021N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level1.7RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability2.3RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness172 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested85 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGM290N10SL , HGN012N03AL , HGN016N04BL , HGN021N06SL , HGN022NE4SL , HGN023NE6A , HGN023NE6AL , HGN024N06SL , IRFB31N20D , HGN028N08A , HGN028NE6A , HGN028NE6AL , HGN029NE4SL , HGN032NE4S , HGN035N08A , HGN035N08AL , HGN035N10A .

History: VBE1638 | IRF540ZSPBF | PSMN5R0-100PS | AFN08N50T220T | MMQ60R115PTH | IRFS621

 

 
Back to Top

 


 
.