Справочник MOSFET. HGN032NE4S

 

HGN032NE4S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGN032NE4S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1348 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN032NE4S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:895K  cn hunteck
 hgn032ne4s.pdf pdf_icon

HGN032NE4S

P-1HGN032NE4S45V N-Ch Power MOSFETFeature45 VVDS Optimized for high speed switching2.5RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability140 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard

 9.1. Size:955K  cn hunteck
 hgn035n10a.pdf pdf_icon

HGN032NE4S

P-1HGN035N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching100 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability3.1RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness144 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

 9.2. Size:765K  cn hunteck
 hgn036n08a.pdf pdf_icon

HGN032NE4S

HGN036N08A P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching3.0RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability138 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switch

 9.3. Size:916K  cn hunteck
 hgn035n08al.pdf pdf_icon

HGN032NE4S

HGN035N08AL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level3RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability4.2RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness118 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Recti

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HGN023NE6A , HGN023NE6AL , HGN024N06SL , HGN027N06S , HGN028N08A , HGN028NE6A , HGN028NE6AL , HGN029NE4SL , AO3401 , HGN035N08A , HGN035N08AL , HGN035N10A , HGN035N10AL , HGN036N08A , HGN036N08AL , HGN036N08S , HGN036N08SL .

History: STL8N10F7 | AP10N4R5I

 

 
Back to Top

 


 
.