Справочник MOSFET. HGN035N08AL

 

HGN035N08AL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGN035N08AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 706 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для HGN035N08AL

 

 

HGN035N08AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:916K  cn hunteck
 hgn035n08al.pdf

HGN035N08AL HGN035N08AL

HGN035N08AL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level3RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability4.2RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness118 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Recti

 4.1. Size:908K  cn hunteck
 hgn035n08a.pdf

HGN035N08AL HGN035N08AL

HGN035N08A P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching3RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability121 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeDrainApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High

 7.1. Size:955K  cn hunteck
 hgn035n10a.pdf

HGN035N08AL HGN035N08AL

P-1HGN035N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Switching100 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability3.1RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness144 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead FreeApplicationDrain Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Ci

 7.2. Size:958K  cn hunteck
 hgn035n10al.pdf

HGN035N08AL HGN035N08AL

P-1HGN035N10AL100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching,Logic Level3.1RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability4.0RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness149 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead FreeApplicationDrain Synchronous Rectific

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top