HGN036N08S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGN036N08S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 566 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для HGN036N08S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN036N08S даташит

 ..1. Size:766K  cn hunteck
 hgn036n08s.pdf pdf_icon

HGN036N08S

HGN036N08S P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching 3.0 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 131 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switch

 0.1. Size:776K  cn hunteck
 hgn036n08sl.pdf pdf_icon

HGN036N08S

HGN036N08SL P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching, Logic level 3.0 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 3.7 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 132 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 60 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronou

 5.1. Size:765K  cn hunteck
 hgn036n08a.pdf pdf_icon

HGN036N08S

HGN036N08A P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching 3.0 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 138 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switch

 5.2. Size:771K  cn hunteck
 hgn036n08al.pdf pdf_icon

HGN036N08S

HGN036N08AL P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching 2.7 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 3.8 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 138 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 60 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectificatio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HGN029NE4SL, HGN032NE4S, HGN035N08A, HGN035N08AL, HGN035N10A, HGN035N10AL, HGN036N08A, HGN036N08AL, IRFZ48N, HGN036N08SL, HGN040N06S, HGN040N06SL, HGN042N10A, HGN042N10AL, HGN042N10S, HGN042N10SL, HGN045NE4SL