Справочник MOSFET. HGN036N08S

 

HGN036N08S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGN036N08S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 566 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для HGN036N08S

 

 

HGN036N08S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:766K  cn hunteck
 hgn036n08s.pdf

HGN036N08S HGN036N08S

HGN036N08S P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching3.0RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability131 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switch

 0.1. Size:776K  cn hunteck
 hgn036n08sl.pdf

HGN036N08S HGN036N08S

HGN036N08SL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic level 3.0RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability3.7RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness132 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronou

 5.1. Size:765K  cn hunteck
 hgn036n08a.pdf

HGN036N08S HGN036N08S

HGN036N08A P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching3.0RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability138 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switch

 5.2. Size:771K  cn hunteck
 hgn036n08al.pdf

HGN036N08S HGN036N08S

HGN036N08AL P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching2.7RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability3.8RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness138 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested60 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectificatio

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top