Справочник MOSFET. HGN042N10A

 

HGN042N10A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGN042N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для HGN042N10A

 

 

HGN042N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:777K  cn hunteck
 hgn042n10a.pdf

HGN042N10A HGN042N10A

HGN042N10A P-1100V N-Ch Power MOSFET100 VVDSFeature3.7RDS(on),typ m Optimized for high speed smooth switching128 AID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability60 AID (Package Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication DC-DC Conversion Drain Hard Switching and

 0.1. Size:786K  cn hunteck
 hgn042n10al.pdf

HGN042N10A HGN042N10A

HGN042N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFET100 VVDSFeature3.4RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed smooth switching,Logic level4.6RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability129 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication

 5.1. Size:1155K  cn hunteck
 hgn042n10s.pdf

HGN042N10A HGN042N10A

HGN042N10S P-1100V N-Ch Power MOSFET VDSFeature 100 V3.7 RDS(on),typ mW Optimized for high speed smooth switching112 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability60 A ID (Package Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication DC-DC Conversion Drain Hard Switching

 5.2. Size:1077K  cn hunteck
 hgn042n10sl.pdf

HGN042N10A HGN042N10A

P-1HGN042N10SL100V N-Ch Power MOSFET100 VFeature VDS3.5 Optimized for high speed smooth switching,Logic Level RDS(on),typ VGS=10V mW4.4RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Body diode dv/dt capability116 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top