HGN045NE4SL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HGN045NE4SL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 756 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для HGN045NE4SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGN045NE4SL даташит

 ..1. Size:774K  cn hunteck
hgn045ne4sl.pdfpdf_icon

HGN045NE4SL

HGN045NE4SL P-1 45V N-Ch Power MOSFET 45 V VDS Feature 3.5 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level 4.6 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability 101 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Syn

 9.1. Size:1155K  cn hunteck
hgn042n10s.pdfpdf_icon

HGN045NE4SL

HGN042N10S P-1 100V N-Ch Power MOSFET VDS Feature 100 V 3.7 RDS(on),typ mW Optimized for high speed smooth switching 112 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability 60 A ID (Package Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application DC-DC Conversion Drain Hard Switching

 9.2. Size:786K  cn hunteck
hgn042n10al.pdfpdf_icon

HGN045NE4SL

HGN042N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET 100 V VDS Feature 3.4 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed smooth switching,Logic level 4.6 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability 129 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application

 9.3. Size:893K  cn hunteck
hgn046ne6a.pdfpdf_icon

HGN045NE4SL

HGN046NE6A P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching 4.1 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 94 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 45 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Drain Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switchin

Другие IGBT... HGN036N08S, HGN036N08SL, HGN040N06S, HGN040N06SL, HGN042N10A, HGN042N10AL, HGN042N10S, HGN042N10SL, EMB04N03H, HGN046NE6A, HGN046NE6AL, HGN050N10A, HGN050N10AL, HGN052N10SL, HGN053N06S, HGN053N06SL, HGN055N12S